对比图
型号 E-L6569D IR4427SPBF NCP3420DR2G
描述 MOSFET DRVR 600V 0.275A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SO NMOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)ON SEMICONDUCTOR NCP3420DR2G MOSFET Driver, 4.6V-13.2V supply, SOIC-8 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 16.6V (max) - 4.60V (min)
上升/下降时间 - 15ns, 10ns 16ns, 11ns
无卤素状态 - - Halogen Free
输出接口数 2 2 2
针脚数 - - 8
上升时间 - 35ns (Max) 16 ns
下降时间 - 25ns (Max) 11 ns
下降时间(Max) - 25 ns 11 ns
上升时间(Max) - 35 ns 16 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 10V ~ 16.6V 6V ~ 20V 4.6V ~ 13.2V
电源电压(Max) 16.6 V 20 V 13.2 V
电源电压(Min) 10 V 6 V 4.6 V
工作电压 - 6V ~ 20V -
额定功率 - 625 mW -
输出电压 618 V 20 V -
输出电流 275 mA 2.3 A -
供电电流 - 1500 μA -
通道数 - 2 -
耗散功率 - 0.625 W -
热阻 - 200℃/W (RθJA) -
耗散功率(Max) - 625 mW -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.25 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99