JAN1N6137A和P4KE200C-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6137A P4KE200C-G 1N6137A

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS400W Transient Voltage Suppressor双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Comchip Technology (上华科技) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 B - B

最大反向电压(Vrrm) - - 152V

脉冲峰值功率 500 W - 500 W

最小反向击穿电压 190 V - 190 V

封装 B - B

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

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