CY7C1041DV33-10BVI和CY7C1041DV33-10BVJXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1041DV33-10BVI CY7C1041DV33-10BVJXIT CY7C1041DV33-10BVJXI

描述 异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48Pin VFBGA T/R4兆位( 256千× 16 )静态RAM 4-Mbit (256 K × 16) Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

供电电流 - - 90 mA

位数 16 16 16

存取时间 10 ns - 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

频率 100 MHz - -

时钟频率 100 MHz - -

高度 0.21 mm 0.81 mm 0.81 mm

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

长度 8 mm - -

宽度 6 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

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