SST39SF020A-70-4I-WH和SST39SF020A-70-4I-WHE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SST39SF020A-70-4I-WH SST39SF020A-70-4I-WHE SST39SF020A-70-4C-WH

描述 Flash, 256KX8, 70ns, PDSO32, 8 X 14MM, MO-142BA, TSOP1-32SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,MicrochipFlash, 256KX8, 70ns, PDSO32, 8 X 14MM, MO-142BA, TSOP1-32

数据手册 ---

制造商 Silicon Storage Tech Microchip (微芯) Silicon Storage Tech

分类 存储芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP TSOP-32 TSOP

引脚数 - 32 -

存取时间 70.0 ns 70 ns 70.0 ns

内存容量 2000000 B 250000 B 2000000 B

电源电压(DC) - 4.50V (min) -

工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -

供电电流 - 25 mA -

针脚数 - 32 -

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 70 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 TSOP TSOP-32 TSOP

长度 - 12.5 mm -

宽度 - 8.1 mm -

高度 - 1.05 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -

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