对比图
型号 IRFR4105TRPBF RFD14N05L IRFR4105TRLPBF
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 0.045 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 VDPAK N-CH 55V 27A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 68 W 48 W 68 W
漏源极电压(Vds) 55 V 50 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 27A 14.0 A 27A
上升时间 49 ns 24 ns 49 ns
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
下降时间 40 ns 16 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 68W (Tc) 48 W 68W (Tc)
额定功率 48 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 45 mΩ 100 mΩ -
阈值电压 4 V 2 V -
漏源击穿电压 55 V 50.0 V -
额定功率(Max) 68 W 48 W -
额定电压(DC) - 50.0 V -
额定电流 - 14.0 A -
栅源击穿电压 - ±10.0 V -
长度 6.5 mm 6.8 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 2.5 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 6.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -