6116LA55TDB和6116SA55TDB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA55TDB 6116SA55TDB CY7C128A-45DMB

描述 5V 2K x 8 Asynchronous Static RAM静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 CDIP-24 CDIP-24 CDIP

存取时间 - 55 ns 45 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

供电电流 - - 125 mA

位数 - - 8

存取时间(Max) - - 45 ns

长度 32.51 mm 32.51 mm -

宽度 7.62 mm 7.62 mm -

高度 3.56 mm 3.56 mm -

封装 CDIP-24 CDIP-24 CDIP

厚度 3.56 mm 3.56 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - - 3A001.a.2.c

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