PDTA123JK和PDTA123JK,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTA123JK PDTA123JK,115

描述 NPN电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧, R2 = 47千欧 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHMMPAK PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 MPAK SOT-23-3

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) - 250 mW

封装 MPAK SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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