对比图
型号 2N5039 JANTXV2N5038 2N3584
描述 Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin(2+Tab) TO-3NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Central Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 2 3 -
封装 TO-3 TO-3 TO-66-2
安装方式 - Through Hole Through Hole
极性 NPN NPN -
耗散功率 200 W - 35 W
直流电流增益(hFE) 50 - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
击穿电压(集电极-发射极) - 90 V 250 V
最小电流放大倍数(hFE) - 50 @2A, 5V 25 @1A, 10V
额定功率(Max) - 140 W 35 W
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
集电极最大允许电流 - 20A -
耗散功率(Max) - 140000 mW -
封装 TO-3 TO-3 TO-66-2
工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead 无铅
HTS代码 85412900951 - -