IPP055N03LG和IRF3707ZSPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP055N03LG IRF3707ZSPBF IRL3103PBF

描述 30V,5.5mΩ,50A,N沟道功率MOSFETINFINEON  IRF3707ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 VINFINEON  IRL3103PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

长度 - 10.67 mm 10 mm

宽度 - 9.65 mm 4.4 mm

高度 - 4.83 mm 15.65 mm

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

额定功率 - 57 W 83 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0095 Ω 0.012 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 57 W 83 W

阈值电压 - 1.8 V 1 V

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 59A 64A

上升时间 - 41 ns 120 ns

输入电容(Ciss) - 1210pF @15V(Vds) 1650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 94 W

下降时间 - 3.6 ns 9.1 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 57W (Tc) 94W (Tc)

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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