对比图
型号 BSM200GA170DN2 FF200R17KE4 BSM300GA170DN2E3166
描述 IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290AINFINEON FF200R17KE4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 1.7 kV, ModuleIGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Screw -
引脚数 - 7 -
封装 62MM AG-62MM-1 -
额定功率 - 1250 W -
针脚数 - 7 -
极性 - NPN -
耗散功率 - 1.25 kW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
封装 62MM AG-62MM-1 -
长度 106.4 mm - -
宽度 61.4 mm - -
高度 36.5 mm - -
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tray -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -