BSP315和BSP315P的区别_BSP315代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 P沟道 50V 1AINFINEON BSP315P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V60V,800mΩ,-11.7A,P沟道小信号MOSFET

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 800 mΩ -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 1.8 W -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

连续漏极电流(Ids) - 1.17 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -