BAT85S和SB120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT85S SB120 RS1G

描述 肖特基二极管 Schottky Barrier DiodeRectifier Diode, Schottky, 1Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AC, 2PinTAIWAN SEMICONDUCTOR  RS1G  标准恢复二极管, 单, 400 V, 1 A, 1.3 V, 150 ns, 30 A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Diotec Semiconductor Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 肖特基二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-15 DO-214AC

易燃性等级 - - UL 94 V-0

针脚数 - - 2

正向电压 800 mV 0.5 V 1.30 V

反向恢复时间 5 ns - 150 ns

正向电流 200 mA - 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 30 A

正向电压(Max) - - 1.3 V

正向电流(Max) - - 1 A

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃ -55 ℃

电容 - 110 pF -

负载电流 - 1 A -

额定电流 200 A - -

耗散功率 200 mW - -

工作结温(Max) 125 ℃ - -

长度 3.9 mm - 4.6 mm

宽度 - - 2.83 mm

高度 - - 2.5 mm

封装 DO-35 DO-15 DO-214AC

重量 - - 68.0 mg

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Ammo Pack Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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