对比图
型号 IRF1010N IRF1010NPBF
描述 TO-220AB N-CH 55V 85AINFINEON IRF1010NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220 TO-220-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 180 W 115 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 85A 85A
上升时间 76 ns 76 ns
输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 3210pF @25V(Vds)
下降时间 48 ns 48 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180000 mW 180W (Tc)
额定功率 - 130 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.011 Ω
阈值电压 - 4 V
输入电容 - 3210pF @25V
漏源击穿电压 - 55 V
额定功率(Max) - 180 W
封装 TO-220 TO-220-3
长度 - 10 mm
宽度 - 4.4 mm
高度 - 8.77 mm
材质 Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17