BUK9215-55A和BUK9215-55A,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9215-55A BUK9215-55A,118

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN沟道 VDS=55V VGS=±20V ID=55A P=115W

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 DPAK TO-252-3

通道数 - 1

漏源极电阻 - 13.6 mΩ

耗散功率 - 115 W

输入电容 - 2190 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55 V

上升时间 - 161 ns

输入电容(Ciss) - 2916pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 115 W

下降时间 - 165 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 62A -

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.38 mm

封装 DPAK TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

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