SMBJ12CHE3/52和SMBJ12CAHE3/52

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ12CHE3/52 SMBJ12CAHE3/52 P6SMBJ12C

描述 TVS BIDIR 600W 12V 10% SMBDiode TVS Single Bi-Dir 12V 600W 2Pin SMB T/R硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Littelfuse (力特)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA-2

钳位电压 22 V 19.9 V 17.535 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 13.3 V 13.3 V 10.8 V

额定电压(DC) - - 12.0 V

工作电压 12 V - 9.72 V

额定功率 - - 600 W

击穿电压 13.3 V - 13.2 V

耗散功率 - - 600 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA-2

长度 - - 5.59 mm

宽度 - - 3.94 mm

高度 - - 2.44 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape, Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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