对比图
型号 FDMA430NZ IRLHS6342TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA430NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.0236 ohm, 4.5 V, 810 mVN 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 WDFN-6 PQFN-6
通道数 - 1
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.0236 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 900 mW 2.1 W
阈值电压 810 mV 1.1 V
输入电容 - 1019 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 8.7A
上升时间 7.1 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 800pF @10V(Vds) 1019pF @25V(Vds)
下降时间 6 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.4W (Ta) 2.1W (Ta)
漏源击穿电压 30.0 V -
额定功率(Max) 2.4 W -
长度 2 mm 2.1 mm
宽度 2 mm 2.1 mm
高度 0.75 mm 0.95 mm
封装 WDFN-6 PQFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 EAR99 -