IDT71V256SA20PZ和TG20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V256SA20PZ TG20 CY7C1399BN-15ZXI

描述 低功耗3.3V CMOS快速SRAM 256K ( 32K ×8位) LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28CY7C1399BN 系列 256-Kb (32 K x 8) 3.3 V 15 ns 静态 RAM - TSOP-28

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Samsung (三星) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TSSOP-28 TSOP1 TSOP-28

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 28

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 50 mA

针脚数 - - 28

时钟频率 - - 15.0 GHz

位数 - - 8

存取时间 - - 15 ns

内存容量 - - 32000 B

存取时间(Max) - - 15 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 TSSOP-28 TSOP1 TSOP-28

高度 - - 1.02 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube - Tray

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 3A991 - EAR99

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