PIC12F683T-E/SN和PIC12F683-I/P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F683T-E/SN PIC12F683-I/P PIC12F683-E/SN

描述 8引脚基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 8-Pin Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt TechnologyMICROCHIP  PIC12F683-I/P  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 3.5 KB, 128 Byte, 8 引脚, DIPMICROCHIP  PIC12F683-E/SN  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 3.5 KB, 128 Byte, 8 引脚, SOIC

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

频率 20 MHz 20 MHz 20 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 8 8 8

时钟频率 20.0MHz (max) 20 MHz 20.0 MHz

RAM大小 128 B 128 B 128 B

位数 8 8 8

耗散功率 800 mW 800 mW 800 mW

I/O引脚数 6 6 6

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内核子架构 PIC12 PIC12 PIC12

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 6 Input 6 Input 6 Input

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 2 V 2 V

工作电压 - 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

FLASH内存容量 - 3.5 KB 3.5 KB

内存容量 - 3500 B -

长度 4.9 mm 10.16 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 0.28 in 3.9 mm

高度 1.25 mm 4.95 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 3A991.a.2 3A991.a.2 3A991.a.2

香港进出口证 - NLR -

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