UZ756和UZ856

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UZ756 UZ856 UZ5856

描述 功率齐纳二极管 POWER ZENERSZener Diodes功率齐纳二极管 POWER ZENERS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 -

封装 Module Module B_(WT)

安装方式 Through Hole - Through Hole

测试电流 10 mA 10 mA -

耗散功率 3 W - 5 W

稳压值 56 V - 56 V

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 Module Module B_(WT)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台