FQD3N50CTF和FQD3N50CTM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD3N50CTF FQD3N50CTM

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1

漏源极电阻 2.1 Ω 2.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 35 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A

上升时间 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 365pF @25V(Vds) 365pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 35 W 35 W

下降时间 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) 35W (Tc)

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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