对比图
型号 IRFS3806TRLPBF STB60NF06LT4 STB55NF06T4
描述 MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22NC QgSTMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 15.8 mΩ 0.016 Ω 0.015 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 71 W 110 W 110 W
产品系列 IRFS3806 - -
输入电容 1150pF @50V - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
输入电容(Ciss) 1150pF @50V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 71 W 110 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V
额定电流 - 60.0 A 50.0 A
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 1 V 3 V
漏源击穿电压 - 60 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 60.0 A 50.0 A
上升时间 - 220 ns 50 ns
下降时间 - 30 ns 15 ns
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 9.25 mm 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99