SPI08N50C3HKSA1和SPI08N50C3XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPI08N50C3HKSA1 SPI08N50C3XKSA1

描述 TO-262 N-CH 560V 7.6AInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 83W (Tc) 83W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 560 V

连续漏极电流(Ids) 7.60 A 7.6A

上升时间 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 83 W

下降时间 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc)

额定电压(DC) 560 V -

额定电流 7.60 A -

输入电容 750 pF -

栅电荷 32.0 nC -

长度 10.2 mm 10 mm

宽度 4.5 mm 4.4 mm

高度 9.45 mm 9.25 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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