BD536和BD536J

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD536 BD536J

描述 STMICROELECTRONICS  BD536  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 50 W, -6 A, 40 hFETrans GP BJT PNP 60V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @2A, 2V 30 @2A, 2V

额定功率(Max) 50 W 50 W

针脚数 3 -

耗散功率 50 W -

最大电流放大倍数(hFE) 40 -

直流电流增益(hFE) 40 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 50000 mW -

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm -

宽度 4.6 mm -

高度 9.15 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99

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