BLF246B和MRF275G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF246B MRF275G MRF275L

描述 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor射频MOSFET线150W ,为500MHz , 28V The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28VN沟道宽带射频功率场效应管 N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com M/A-Com

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 - 5 -

封装 - 375-04 333-04

安装方式 Flange - -

频率 - 500 MHz 500 MHz

额定电流 8.00 A 26 A 13 A

额定功率 - 400 W -

耗散功率 - 400 W -

输出功率 60.0 W 150 W 100 W

增益 14.0 dB 11.2 dB 8.8 dB

测试电流 - 100 mA 100 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 400000 mW -

额定电压 - 65 V 65 V

电源电压(DC) 28.0 V - -

额定电压(DC) 65.0 V - -

漏源极电压(Vds) 65.0 V - -

漏源击穿电压 65.0V (min) - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A - -

封装 - 375-04 333-04

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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