对比图
描述 RF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS射频与微波晶体管800-900兆赫基站应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800-900 MHz BASE STATION APPLICATIONS射频与微波晶体管130 ... 230兆赫调频模块应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 4 4 -
封装 M-113 - -
额定电压(DC) 36.0 V - -
额定电流 8.00 A - -
耗散功率 70 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 16 V - -
增益 10 dB - -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V - -
最大电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V - -
额定功率(Max) 70 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 70000 mW - -
长度 24.89 mm - -
宽度 6.48 mm - -
高度 7.11 mm - -
封装 M-113 - -
材质 Silicon - -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free - Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -