对比图
型号 JAN2N3635 NTE323 2N5680
描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORNTE ELECTRONICS NTE323 双极性晶体管PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-39 TO-39 TO-39
击穿电压(集电极-发射极) 140 V 180 V 120 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V - 40 @250mA, 2V
额定功率(Max) 1 W - 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW
针脚数 - 3 -
极性 - P-Channel, Dual P-Channel -
耗散功率 - 10 W 1 W
集电极最大允许电流 - 1A -
直流电流增益(hFE) - 140 -
封装 TO-39 TO-39 TO-39
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag - Bag
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - 85412100959 -