对比图
型号 CY7C1321KV18-250BZXC CY7C1321KV18-333BZC
描述 18兆位的DDR II SRAM四字突发架构333 - MHz时钟实现高带宽 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth18兆位的DDR II SRAM四字突发架构333 - MHz时钟实现高带宽 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 LBGA-165
供电电流 370 mA -
时钟频率 250 MHz -
位数 36 -
存取时间 0.45 ns 0.45 ns
存取时间(Max) 0.45 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V
封装 FBGA-165 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead