VN0300L-G和VN0300L-G-P002

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN0300L-G VN0300L-G-P002 VN0300L

描述 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 640 mA, 30 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.5 VTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.64A 3Pin TO-92 T/RMOSFET N-CH 60V 200mA TO-92

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 200 mA

耗散功率 1 W 1W (Tc) 350mW (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.64A - 200 mA

输入电容(Ciss) 190 pF 190pF @20V(Vds) 100pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 350mW (Tc)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.2 Ω - -

极性 N-CH - -

阈值电压 2.5 V - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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