THS3095D和THS3095DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS3095D THS3095DR THS3095DG4

描述 高电压,低失真,电流反馈运算放大器 HIGH-VOLTAGE, LOW-DISTORTION, CURRENT-FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIERS高电压,低失真,电流反馈运算放大器 HIGH-VOLTAGE, LOW-DISTORTION, CURRENT-FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIERS高电压,低失真,电流反馈运算放大器 HIGH-VOLTAGE, LOW-DISTORTION, CURRENT-FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 9.5 mA 9.5 mA 9.5 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比 60 dB - 62dB ~ 69dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K - 10.0 µV/K

带宽 235 MHz 190 MHz 235 MHz

转换速率 7.30 kV/μs 7.30 kV/μs 7.30 kV/μs

增益频宽积 235 MHz - 235 MHz

输入补偿电压 900 µV 900 µV 900 µV

输入偏置电流 4 µA 4 µA 4 µA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

3dB带宽 235 MHz 235 MHz 235 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW - -

共模抑制比(Min) 60 dB - -

电源电压(Max) - - 30 V

电源电压(Min) - - 10 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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