BCR10PNB6327XT和PUMD3,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR10PNB6327XT PUMD3,135

描述 SOT-363 NPN+PNP 50V 100mA1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 100mA 50V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-363-6 TSSOP-6

耗散功率 - 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

极性 NPN+PNP -

集电极最大允许电流 100mA -

封装 SOT-363-6 TSSOP-6

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99

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