APT6017JFLL和IXFX44N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6017JFLL IXFX44N60 APT8020B2LL

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4Pin SOT-227单 N-沟道 600 V 560 W 330 nC 通孔 功率 Mosfet - PLUS247Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) T-MAX

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Through Hole Through Hole

引脚数 4 3 -

封装 SOT-227 TO-247-3 -

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 31.0 A 44.0 A -

耗散功率 375 W 560 W -

输入电容 4.50 nF - -

栅电荷 100 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 44.0 A -

上升时间 6 ns 50 ns -

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 8900pF @25V(Vds) -

下降时间 7 ns 40 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 375000 mW 560W (Tc) -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 130 mΩ -

极性 - N-CH -

阈值电压 - 4.5 V -

漏源击穿电压 - 600 V -

封装 SOT-227 TO-247-3 -

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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