对比图
型号 APT6017JFLL IXFX44N60 APT8020B2LL
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4Pin SOT-227单 N-沟道 600 V 560 W 330 nC 通孔 功率 Mosfet - PLUS247Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) T-MAX
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Through Hole Through Hole
引脚数 4 3 -
封装 SOT-227 TO-247-3 -
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 31.0 A 44.0 A -
耗散功率 375 W 560 W -
输入电容 4.50 nF - -
栅电荷 100 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 44.0 A -
上升时间 6 ns 50 ns -
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 8900pF @25V(Vds) -
下降时间 7 ns 40 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 375000 mW 560W (Tc) -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 130 mΩ -
极性 - N-CH -
阈值电压 - 4.5 V -
漏源击穿电压 - 600 V -
封装 SOT-227 TO-247-3 -
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.34 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -