IRF1010EZ和IRF1010EZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1010EZ IRF1010EZPBF SUB75N06-08

描述 TO-220AB N-CH 60V 84AINFINEON  IRF1010EZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3Pin(2+Tab) TO-263

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 75.0 A - -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 140W (Tc) 140 W 3.70 W

产品系列 IRF1010EZ - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0V (min) 60 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 84A 75.0 A

上升时间 90 ns 90 ns -

输入电容(Ciss) 2810pF @25V(Vds) 2810pF @25V(Vds) -

下降时间 54 ns 54 ns -

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) -

漏源极电阻 - 0.0085 Ω 8.00 mΩ

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率 - 140 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 2810 pF -

额定功率(Max) - 140 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 16.51 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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