AD8510ARMZ-REEL和AD8510BR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8510ARMZ-REEL AD8510BR AD8510ARMZ-R2

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 MSOP-8 SOIC MSOP-8

供电电流 2.2 mA - 2.2 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - -

共模抑制比 100 dB - -

输入电容 12.5 pF - -

带宽 8 MHz - -

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 20.0 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 8 MHz

输入阻抗 1.25 TΩ - -

输入补偿电压 100 µV - 100 µV

输入偏置电流 25 pA - 25 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 8 MHz - 8 MHz

共模抑制比(Min) 86 dB 86 dB 86 dB

电源电压(Max) 36 V - -

电源电压(Min) 9 V - -

长度 3 mm - -

宽度 3 mm - -

高度 0.85 mm 1.5 mm 0.85 mm

封装 MSOP-8 SOIC MSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

军工级 No - -

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