STP4NB30和STP5N30

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP4NB30 STP5N30 FS5UM-6

描述 N沟道300V - 1.8ohm - 4A - TO- 220 / TO- 220FP PowerMesh⑩ MOSFET N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFETN - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR三菱N沟道功率MOSFET MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220 TO-220

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V -

连续漏极电流(Ids) 4A 5A -

封装 TO-220 TO-220 TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

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