对比图
型号 IPB80N04S3-H4 NP80N04PLG-E1B-AY IPB039N04LGATMA1
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTORD2PAK N-CH 40V 80A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
耗散功率 - 1.8W (Ta), 115W (Tc) 94W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 6100pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 115000 mW 1.8W (Ta), 115W (Tc) 94W (Tc)
极性 N-CH - N-CH
连续漏极电流(Ids) 80A - 80A
上升时间 12 ns - 5.4 ns
额定功率(Max) 115 W - -
下降时间 10 ns - 6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10 mm - -
宽度 9.25 mm - -
高度 4.4 mm - -
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -