对比图
型号 BC846B BC846BLT1G BC846BLT3G
描述 NPN通用晶体管 NPN general purpose transistorsON SEMICONDUCTOR BC846BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) - 65.0 V 65.0 V
额定电流 - 100 mA 100 mA
额定功率 - 300 mW -
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 250 mW 300 mW 225 mW
增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V
集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 200 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 450 -
额定功率(Max) - 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 290 200 200
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW
长度 - 2.9 mm 2.9 mm
宽度 - 1.3 mm 1.3 mm
高度 - 0.94 mm 1 mm
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99