对比图
型号 IXFK25N90 IXFN27N80Q IXFN39N90
描述 TO-264AA N-CH 900V 25AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN27N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 VN沟道 900V 39A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 - 4 -
封装 TO-264-3 SOT-227-4 SOT-227-4
安装方式 Through Hole - Chassis
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 330 mΩ 0.32 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 560 W 520 W 694W (Tc)
阈值电压 - 4.5 V -
漏源极电压(Vds) 900 V 800 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 25A 27.0 A 39A
上升时间 35 ns 28 ns -
隔离电压 - 2.50 kV -
输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 7600pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 520 W -
下降时间 24 ns 13 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 560W (Tc) 520W (Tc) 694W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 900 V - -
长度 19.96 mm 38.2 mm -
宽度 5.13 mm 25.07 mm -
高度 26.16 mm 9.6 mm -
封装 TO-264-3 SOT-227-4 SOT-227-4
重量 - 40.0 g -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -