NTE2392和RFM18N08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTE2392 RFM18N08 IRF150

描述 TO-3 N-CH 100V 40A18A , 80V和100V , 0.100 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 80V and 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Intersil (英特矽尔) Semelab

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 2 - 3

封装 TO-3 - TO-204

输入电容(Ciss) - - 3700pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 150000 mW

漏源极电阻 0.055 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 150 W - -

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 100 V - -

漏源击穿电压 100V (min) - -

连续漏极电流(Ids) 40.0 A - -

封装 TO-3 - TO-204

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

HTS代码 85412900951 - -

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