MBR1560CT和VT2060C-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBR1560CT VT2060C-E3/4W SR1660

描述 Taiwan Semiconductor双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky RectifierTaiwan Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 肖特基二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

正向电压 - 650mV @10A -

正向电流 15 A - 16 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 150 A - 0.17 kA

正向电压(Max) 750 mV - 700 mV

正向电流(Max) 15 A - 16 A

工作温度(Max) 150 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

负载电流 15 A - -

针脚数 3 - -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.5 mm - 10.5 mm

宽度 4.7 mm - 4.7 mm

高度 8.24 mm - 8.24 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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