FDD8878和ISL9N315AD3ST

对比图

型号 FDD8878 ISL9N315AD3ST IRLR7807ZPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 VISL9N315AD3ST N沟道MOSFET 30V 30A TO-252/D-PAK marking/标记 N315AD 仿真模型/仿真模型INFINEON  IRLR7807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 40.0 A - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.011 Ω 28.0 mΩ 0.0138 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 40 W 55.0 W 40 W

阈值电压 1.2 V - 1.8 V

输入电容 880 pF - -

栅电荷 19.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 30.0 A 43A

上升时间 79 ns - 28 ns

输入电容(Ciss) 880pF @15V(Vds) - 780pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 40 W - 40 W

下降时间 27 ns - 3.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) - 40W (Tc)

额定功率 - - 40 W

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -