对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PILL PACKAGE-4Trans RF BJT NPN 65V 5.5A 4Pin射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 4 -
封装 - M-115 -
耗散功率 - 218.7 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V -
增益 - 9 dB -
额定功率(Max) - 87.5 W -
封装 - M-115 -
工作温度 - 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -