对比图
型号 FDB3652 FQB70N08 NVB6412ANT4G
描述 FDB3652 系列 100 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet - D2PAK-380V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFETD2PAK N-CH 100V 58A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
引脚数 3 - 3
安装方式 - - Surface Mount
极性 - N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 100 V 80 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 70A 58A
耗散功率 150 W - 167W (Tc)
上升时间 85 ns - 140 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) - 3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W - -
下降时间 45 ns - 126 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 150000 mW - 167W (Tc)
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
产品生命周期 Not For New Designs Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free