BSO220N03MSG和FDS6612A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO220N03MSG FDS6612A NTMD4820NR2G

描述 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6612A  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V30V,6.4A功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 8.40 A -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.019 Ω 0.015 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2 W

阈值电压 - 1.9 V 3 V

输入电容 - 560 pF -

栅电荷 - 5.40 nC -

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 8.40 A 6.40 A

上升时间 - 5 ns 4 ns

输入电容(Ciss) - 560pF @15V(Vds) 940pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W 750 mW

下降时间 - 3 ns 6.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2 W

通道数 - - 1

封装 - SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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