BU2008-M3/45和BU2008-M3/51

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU2008-M3/45 BU2008-M3/51

描述 Diode Rectifier Bridge Single 800V 3.5A 4Pin(4+Tab) Case BU TubeDiode Rectifier Bridge Single 800V 3.5A 4Pin(4+Tab) Case BU Tray

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 SIP-4 SIP-4

引脚数 - 4

正向电压 1.05V @10A 1.05V @10A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 240 A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SIP-4 SIP-4

高度 - 18.8 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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