IXFV74N20P和IXTQ74N20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV74N20P IXTQ74N20P IXFH74N20P

描述 PLUS N-CH 200V 74ATO-3P N-CH 200V 74AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 480W (Tc) 400 W 480 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 74A 74A 74A

输入电容(Ciss) 3300pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 34 mΩ 34 mΩ

漏源击穿电压 - 200 V 200 V

上升时间 - 21 ns 21 ns

下降时间 - 21 ns 21 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

阈值电压 - - 5 V

额定功率(Max) - - 480 W

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3

长度 - 15.8 mm 16.26 mm

宽度 - 4.9 mm 5.3 mm

高度 - 20.3 mm 21.46 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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