KSE350STU和MJE350STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSE350STU MJE350STU KSE350S

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial SilFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJE350STU  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE高电压通用应用 High Voltage General Purpose Applications

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -300 V -300 V -300 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

针脚数 - 3 -

极性 PNP NPN PNP

耗散功率 20 W 20 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 240 240 240

额定功率(Max) 20 W 20 W 20 W

直流电流增益(hFE) - 30 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 20000 mW -

长度 8 mm 8 mm 8 mm

宽度 3.25 mm 3.25 mm 3.25 mm

高度 11 mm 11 mm 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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