FQB65N06和FQB65N06TM

对比图

型号 FQB65N06 FQB65N06TM FQB65N06TM_NL

描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETN沟道 60V 65A60V N-Channel QFET Mosfet

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 65A 65.0 A 65A

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 65.0 A -

漏源极电阻 - 16.0 mΩ -

耗散功率 - 3.75W (Ta), 150W (Tc) -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±25.0 V -

输入电容(Ciss) - 2410pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 3.75 W -

耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 150W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -