对比图
型号 IXFB60N80P IXFB62N80Q3
描述 Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3Pin(3+Tab) PLUS 264N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3
通道数 1 -
漏源极电阻 140 mΩ -
耗散功率 1.25 kW 1560 W
阈值电压 5 V -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V -
上升时间 29 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 18000pF @25V(Vds) 13600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1250 W 1560 W
下降时间 26 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1560W (Tc)
极性 - N-CH
连续漏极电流(Ids) - 62A
长度 20.29 mm 20.29 mm
宽度 5.31 mm 5.31 mm
高度 26.59 mm 26.59 mm
封装 TO-264-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free