对比图
型号 CSD18534Q5A CSD18534Q5AT BSC100N06LS3GATMA1
描述 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18534Q5A60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.8mΩ 8-VSONP -55 to 150INFINEON BSC100N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerTDFN-8 VSONP-8 PG-TDSON-8
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.0078 Ω 9.8 mΩ 0.0078 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 3.1 W 3.1 W 50 W
阈值电压 1.9 V 1.5 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60 V -
连续漏极电流(Ids) 50A 50A 12A
上升时间 5.5 ns 5.5 ns 58 ns
下降时间 2 ns 2 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
额定功率 - - 50 W
针脚数 8 - 8
输入电容 - - 2600 pF
输入电容(Ciss) 1770pF @30V(Vds) - 2600pF @30V(Vds)
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 77W (Tc) - 2.5W (Ta), 50W (Tc)
额定功率(Max) 3.1 W - -
长度 5.8 mm 6 mm 5.49 mm
宽度 5 mm 4.9 mm 5.15 mm
高度 1.1 mm 1 mm 1.27 mm
封装 PowerTDFN-8 VSONP-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
香港进出口证 NLR - -