对比图
型号 FMH11N90E IXFH12N90P IXFV12N90P
描述 TO-3P(Q) N-CH 900V 11AIXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N90P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 VPLUS N-CH 900V 6A
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-3 TO-247-3 TO-220-3
漏源极电阻 1 Ω 0.9 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 285 W 380 W 380W (Tc)
输入电容 2300pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V - -
连续漏极电流(Ids) 11A 6A 6A
热阻 0.4386℃/W (RθJC) - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
输入电容(Ciss) - 3080pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 380W (Tc) 380W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3.5 V -
上升时间 - 34 ns -
下降时间 - 68 ns -
长度 15.5 mm - -
高度 19.5 mm - -
封装 TO-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -